高校半导体实验室，采用大塚设备开展晶圆研究

近期，北崎国际贸易（北京）有限公司作为大塚电子华北地区重要合作伙伴，在服务国内某高校半导体实验室的过程中，成功协助其完成了晶圆薄膜研究所需检测设备的选型与部署。该实验室引入大塚电子OPTM系列显微分光膜厚仪后，实现了对晶圆薄膜厚度与光学常数的非破坏性精准测量，为科研项目的顺利推进提供了可靠数据支撑。

高校晶圆研究的测量需求

该实验室主要开展第三代半导体材料与器件方向的科研工作，涉及SiC、GaN外延薄膜的厚度均匀性评估、多层膜结构解析以及光学常数标定等研究内容。与产线量产检测不同，高校科研场景对设备提出了几项特殊要求：样品往往处于研发阶段，尺寸与形态多样，需要设备具备灵活的适配能力；薄膜厚度从纳米级到微米级跨度大，要求测量量程覆盖宽泛；科研数据需要具备高重复性与可追溯性，以支撑论文发表与项目验收。

实验室此前采用台阶仪进行膜厚测量，但该方法需对样品进行刻蚀或掩膜处理，属于破坏性检测，无法对同一晶圆进行重复观测。对于透明基板上的薄膜样品，台阶仪也难以准确获取膜厚数据。

OPTM系列如何适配科研场景？

针对该实验室的研究需求，北崎国际贸易推荐了大塚电子OPTM系列显微分光膜厚仪。该设备采用显微绝对反射分光法，通过显微物镜将光束聚焦至微米级光斑，最小测量光斑可达φ3μm，适配晶圆上微小图案区域的测量需求。

宽量程覆盖多层膜研究：OPTM系列膜厚量程从1nm延伸至92μm（SiO₂换算），支持最多50层复合膜结构运算求解，可同时输出膜厚、折射率n及消光系数k。这一能力与该实验室开展的多层外延结构研究需求高度契合。

非破坏性重复测量：设备采用非接触光学测量方式，无需对样品进行刻蚀或镀膜处理，同一晶圆可在不同工艺阶段反复观测，数据一致性得到保障。

技术消除背面反射干扰：针对透明基板（如SiC、蓝宝石）的测量场景，OPTM搭载大塚电子技术，可物理去除基板背面反射干扰，确保薄膜数据的真实可靠。

应用效果

该实验室在引入OPTM系列后，实现了对SiC外延薄膜厚度的非破坏性快速测量，单点对焦与测量在1秒内完成。研究人员可对不同生长条件下的外延层厚度进行系统对比，数据重复性较此前方法明显改善。该设备已成为实验室晶圆薄膜研究的常规检测工具。

北崎国际贸易（北京）有限公司作为大塚电子华北地区重要合作伙伴，为高校及科研院所提供从设备选型、应用方案设计到售后保障的本地化服务，助力半导体材料与器件研究实现精准高效的薄膜表征。